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Connettori per schede SIM, connettori per schede Micro SIM e connettori per schede Nano SIM

Connettore doppio per scheda SIM, PUSH PULL, H3,0 mm KLS1-SIM2-002A

Informazioni sul prodotto Connettore per doppia scheda SIM, PUSH PULL, H3,0 mm Materiale: Alloggiamento: plastica Hi-TEMP, UL94V-0, nera. Terminale: lega di rame Guscio: acciaio inossidabile Finitura: Terminale: placcato in Au sull'area di contatto, stagnato opaco sulle estremità di saldatura sotto placcato in nichel Guscio: placcato in Au sulle estremità di saldatura sotto placcato in nichel Elettrico: Resistenza di contatto: 50 mΩ Tensione massima di resistenza: 350 V CA rms per 1 minuto Resistenza di isolamento: 1000 MΩ...

Connettore 2 in 1 per scheda Micro SIM e SD, 8P, altezza 2,26 mm KLS1-SIM-109

Informazioni sul prodotto Connettore 2 in 1 per Micro SIM e Scheda SD, 8 pin, altezza 2,26 mm. Materiale: Isolante: Termoplastico ad alta temperatura, UL94V-0, Nero. Terminale: Lega di rame, placcatura in oro nell'area di contatto 1u, area di saldatura dorata 1u. Guscio superiore: Acciaio inossidabile, placcatura in nichel 50u. Guscio inferiore: SUS304 R-1/2H T=0,10 mm, placcatura in nichel 50u. Caratteristiche elettriche: Forza di inserimento 1 kgf. Forza di estrazione massima 0,1 kgf. Durata minima: SIM 5000 cicli. Resistenza di contatto: Prima del test 8...

Connettore doppio per scheda SIM, PUSH PULL, H3,0 mm KLS1-SIM-033

Informazioni sul prodotto: Connettore doppio per scheda SIM, PUSH PULL, altezza 3,0 mm. Materiale: Alloggiamento: plastica ad alta temperatura, UL94V-0, colore nero. Terminale: lega di rame. Tutti i terminali sono placcati in oro e nichelati almeno 50µ" su tutta la superficie. Involucro: acciaio inossidabile. Nichelato almeno 50µ" su tutta la superficie, placcato in oro sulla piazzola di saldatura. Caratteristiche elettriche: Corrente nominale: 0,5 A. Tensione nominale: 5,0 Vrm. Resistenza di isolamento: 1000 MΩ min. a 500 V CC. Tensione di resistenza: 250 V CA RMS per 1...

Connettore 2 in 1 per scheda SIM + Micro SD, PUSH PULL, H2.7mm KLS1-SIM-024

Informazioni sul prodotto 2 in 1 Scheda SIM + connettore Micro SD, PUSH PULL, H2,7 mm Specifiche elettriche: Tensione: 100 V CA Corrente: 0,5 A Resistenza di contatto massima: 100 mΩ Tensione dielettrica massima: 500 V CA Resistenza di isolamento: 1000 MΩ Caratteristiche meccaniche minime: Forza di inserimento e estrazione della scheda: 13,8 N Forza di spinta massima: 19,6 N Durata massima: 10000 cicli Temperatura di esercizio: da -45 ºC a +85 ºC Codice articolo Descrizione PZ/CARTONE Peso (kg) Peso (m³) Quantità ordinabile Tempo...

Connettore per scheda Nano SIM; PUSH PULL, 6 pin, H1,40 mm KLS1-SIM-113

Informazioni sul prodotto Connettore per scheda Nano SIM; PUSH PULL, 6 pin, H1,40 mm Materiale: Isolante: LCP, UL94V-0. Contatto: C5210. Placcato Ni 50 µm, contatti Au 1 µm. Involucro: SUS, placcato Ni 50 µm, PAD Au 1 µm. Elettriche: Corrente nominale: 0,5 A CA/CC max. Tensione nominale: 30 V CA/CC Resistenza di contatto: 30 mΩ Resistenza di isolamento max.: 1000 MΩ Temperatura di esercizio min.: -45 ºC~+85 ºC Codice articolo Descrizione PZ/CARTONE Peso (kg) Peso (m³) Quantità ordinabile...

Connettore per scheda Nano SIM, PUSH PUSH, 6 pin, H1,37 mm, con pin CD KLS1-SIM-066

Informazioni sul prodotto Connettore per scheda Nano SIM, PUSH PUSH, 6 pin, H1,37 mm, con pin CD Materiale: Isolante: termoplastico ad alta temperatura, UL94V-0. Contatto: lega di rame, placcato Ni 50u" totale, PAD Au 1u". Involucro: acciaio inossidabile. Tutto Ni 30u/min. Caratteristiche elettriche: Corrente nominale: 0,5 A ampere Tensione nominale: 5 V CA/CC Resistenza di contatto: 100 mΩ Max. Resistenza di isolamento: 1000 MΩ Min./500 V CC Temperatura di esercizio: -45 ºC~+85 ºC Codice articolo Descrizione PCS/CTN G...

Connettore per scheda Nano SIM, PUSH PUSH, 6 pin, H1,25 mm, con pin CD KLS1-SIM-103

Informazioni sul prodotto: Connettore per scheda Nano SIM, PUSH PUSH, 6 pin, altezza 1,25 mm, con pin CD. Materiale: Contatto: lega di rame. Au su Ni. Alloggiamento: LCP caricato a fibra di vetro. Guscio: acciaio inossidabile. Au su Ni. Telaio GND: lega di rame. Au su Ni. Interruttore di rilevamento: lega di rame. Au su Ni. Slitta: PA10T caricato a fibra di vetro. Molla: acciaio inossidabile. Gancio: acciaio inossidabile. Specifiche elettriche: Corrente nominale: 0,5 A. Tensione nominale massima: 30 V CA. Resistenza di contatto: 100 mΩ. Resistenza di isolamento massima: 1000 MΩ. Resistenza dielettrica min./500 V CC.

Connettore per scheda Nano SIM, tipo vassoio, 6 pin, altezza 1,55 mm, con pin CD KLS1-SIM-104

Informazioni sul prodotto Connettore per scheda Nano SIM, tipo vassoio, 6 pin, altezza 1,55 mm, con pin CD. Caratteristiche elettriche: Corrente nominale: 1 Ampere/pin. MAX. Tensione: 30 V CC. MAX. Resistenza di contatto a basso livello: 30 mΩ Max. Inizialmente. Tensione dielettrica: 500 V CA MIN. Per 1 minuto. Resistenza di isolamento: 100 MΩ Min. 500 V CC. Per 1 minuto. Durata: 1500 cicli. Temperatura di esercizio: da -45 ºC a +85 ºC. Codice articolo: Descrizione PZ/CARTONE Peso (kg) Peso (m³) Quantità ordinabile: Tempo o...

Connettore per scheda Nano SIM, tipo vassoio, 6 pin, altezza 1,5 mm, con pin CD KLS1-SIM-102

Informazioni sul prodotto Connettore per scheda Nano SIM, tipo vassoio, 6 pin, altezza 1,5 mm, con pin CD Caratteristiche elettriche: Corrente nominale: 1 Amp/pin. MAX. Tensione: 30 V CC. MAX. Resistenza di contatto a basso livello: 30 mΩ Max. Inizialmente. Tensione dielettrica: 500 V CA MIN. Per 1 minuto. Resistenza di isolamento: 100 MΩ Min. 500 V CC. Per 1 minuto. Durata: 1000 cicli. Temperatura di esercizio: -45 ºC~+85 ºC Codice articolo Descrizione PZ/CARTONE Peso (kg) CMB (m³) Quantità ordinabile Tempo ordinazione...

Connettore per scheda Nano SIM; tipo vassoio di montaggio MID, 6 pin, altezza 1,5 mm, con pin CD KLS1-SIM-100

Informazioni sul prodotto Connettore per scheda Nano SIM; tipo vassoio con montaggio MID, 6 pin, altezza 1,5 mm, con pin CD Materiale: Plastica: LCP, UL94V-0, nero. Contatto: C5210 Guscio: SUS304 Vassoio: LCP, UL94V-0, nero. Placcatura: Contatto: Area di contatto: placcatura G/F; Area di saldatura: stagno opaco 80u" Guscio: placcatura su 30u" Ni Saldabile 30u" Placcatura Ni su tutto. La complanarità tra contatti e terminali deve essere di 0,10 mm. Codice articolo Descrizione PZ/CARTONE Peso (kg) CMB (m³) Quantità ordinabile Tempo ordine

Connettore per scheda Nano SIM, 6 pin, altezza 1,4 mm, tipo a cerniera, con pin CD KLS1-SIM-101

Informazioni sul prodotto Connettore per scheda Nano SIM, 6 pin, altezza 1,4 mm, tipo a cerniera, con pin CD Materiale: Alloggiamento: termoplastico ad alta temperatura, UL94V-0, nero. Terminale: lega di rame, placcato in oro sull'area di contatto e sulle estremità di saldatura, nichel sottoplaccato su tutta la superficie. Involucro: acciaio inossidabile, placcato in oro sulle estremità di saldatura, nichel sottoplaccato su tutta la superficie. Caratteristiche elettriche: Corrente nominale: 0,5 A Tensione nominale massima: 30 V CA Resistenza di contatto: 100 mΩ Resistenza di isolamento massima: 1000 MΩ Min./500 V...

Connettore per scheda Nano SIM, 6 pin, altezza 1,4 mm, tipo a cerniera, con pin CD KLS1-SIM-077A

Informazioni sul prodotto Connettore per scheda Nano SIM, 6 pin, H1,4 mm, tipo a cerniera, con pin CD Materiale: Isolante: termoplastico ad alta temperatura, UL94V-0. Contatto: lega di rame, placcato 50u" Ni Contatto totale: tutto Au 1U. Involucro: acciaio inossidabile, tutto Ni 30U MIN. Elettriche: Corrente nominale: 0,5 A CA/CC MAX. Tensione nominale: 125 V CA/CC Intervallo di umidità ambientale: 95% RH Resistenza di contatto massima: 80 mΩ Resistenza di isolamento massima: 100 MΩ Min./100 V CC Cicli di accoppiamento: 5000 inserimenti. Funzionamento...

Connettore per scheda Nano SIM, 6 pin, altezza 1,4 mm, tipo a cerniera, senza pin CD KLS1-SIM-077

Informazioni sul prodotto Connettore per scheda Nano SIM, 6 pin, altezza 1,4 mm, tipo a cerniera, senza pin CD Materiale: Isolante: termoplastico ad alta temperatura, UL94V-0. Contatto: C5210, placcato 50u" Ni. Contatti totali: tutti i contatti Au 1U. Involucro: acciaio inossidabile, tutti i contatti Ni 30U/MIN. Elettriche: Corrente nominale: 0,5 A. Tensione nominale: 5 V CA/CC. Intervallo di umidità ambientale: 95% RH. Resistenza di contatto massima: 80 mΩ. Resistenza di isolamento massima: 100 MΩ. Cicli di accoppiamento min./100 V CC: 10.000 inserimenti. Temperatura di esercizio: -45&...

Connettore per scheda Nano SIM, PUSH PULL, 6 pin, H1,4 mm, con pin CD KLS1-SIM-092

Informazioni sul prodotto Connettore per scheda Nano SIM, PUSH PULL, 6 pin, H1,4 mm, con pin CD Materiale: Alloggiamento: termoplastico ad alta temperatura, UL94V-0, nero. Terminale: lega di rame, 1u" Au selettivo sull'area di contatto. Guscio: acciaio inossidabile, placcatura in oro selettiva sull'area di saldatura. Caratteristiche elettriche: Corrente nominale: 0,5 A Tensione nominale massima: 30 V CA Resistenza di contatto: 100 mΩ Resistenza di isolamento massima: 1000 MΩ Tensione dielettrica minima/500 V CC: 500 V CA/minuto. Durata: 5000...

Connettore per scheda Nano SIM; PUSH PULL, 6 pin, H1,35 mm KLS1-SIM-076

Informazioni sul prodotto Connettore per scheda Nano SIM; PUSH PULL, 6 pin, H1,35 mm Materiale: Isolante: termoplastico ad alta temperatura, UL94V-0. Contatto: C5210. Placcato Ni 50u" in totale, contatti Au 1u. Involucro: SUS, placcato Ni 50u" in totale, PAD Au 1u. Caratteristiche elettriche: Corrente nominale: 0,5 A CA/CC max. Tensione nominale: 125 V CA/CC Resistenza di contatto: 100 mΩ Max. Resistenza di isolamento: 1000 MΩ Min. 500 V CC Temperatura di esercizio: -45 ºC~+85 ºC Codice articolo Descrizione...

Connettore per scheda Micro SIM, 8 pin, altezza 1,5 mm, tipo incernierato KLS1-SIM-089

Informazioni sul prodotto: Connettore per scheda Micro SIM, 8 pin, altezza 1,5 mm, tipo a cerniera. Materiale: alloggiamento termoplastico, UL94V-0. Terminale: bronzo fosforoso, spessore 0,15 mm, placcato in nichel nella parte inferiore, placcato in oro sull'area di contatto, placcato in rame sul terminale di saldatura. Guscio: acciaio inossidabile, spessore 0,15 mm, placcato in nichel nella parte inferiore, placcato in rame sul terminale di saldatura. Resistenza elettrica di contatto: 60 mΩ. Resistenza di isolamento massima: 1000 mΩ. Tensione dielettrica minima: 500 V CA per 1 minuto. Durata: 5000 cicli. Temperatura di esercizio: ...

Connettore per scheda Micro SIM, 6 pin, altezza 1,8 mm, tipo incernierato KLS1-SIM-072

Informazioni sul prodotto Connettore per scheda Micro SIM, 6 pin, altezza 1,8 mm, tipo a cerniera. Materiale: Alloggiamento: LCP, UL94V-0, nero. Terminale: lega di rame. Guscio: acciaio inossidabile. Specifiche elettriche: Corrente nominale: 1 A. Tensione nominale massima: 30 V CC max. Resistenza di contatto: 30 mΩ. Resistenza di isolamento massima: 1000 MΩ. Tensione dielettrica minima: 500 V rms/min. Durata: 5000 cicli. Temperatura di esercizio: da -45 ºC a +85 ºC. Codice articolo: Descrizione PZ/CARTONE Peso (kg) Peso (m³) Quantità ordinabile.

Connettore per scheda Micro SIM, 6 pin, altezza 1,5 mm, tipo vassoio KLS1-SIM-075

Informazioni sul prodotto: Connettore per scheda Micro SIM, 6 pin, altezza 1,5 mm, tipo vassoio. Materiale: Isolante: plastica ad alta temperatura, UL94V-0, nero. Terminale: lega di rame. Placcatura in oro flash su tutti i terminali, placcatura in nichel Aad min. 50 µm su tutta la superficie. Guscio: placcatura in nichel 50 µm su tutta la superficie, placcatura in oro flash sulla piazzola di saldatura. Caratteristiche elettriche: Corrente nominale: 0,5 A Tensione nominale: 5,0 Vrms Resistenza di isolamento: 1000 MΩ min./500 V CC Tensione di tenuta: 250 V CA rms per 1 minuto...

Connettore per scheda Micro SIM, 6P, PUSH PULL, H1,5mm KLS1-SIM-099

Informazioni sul prodotto Connettore per scheda Micro SIM, 6 pin, PUSH PULL, altezza 1,5 mm. Materiale: alloggiamento: termoplastico, UL94V-0. Terminale: lega di rame, placcato in oro su area di contatto e terminali di saldatura, nichelato in tutto. Guscio: acciaio inossidabile. Nichelato in tutto. Terminali di saldatura placcati in oro. Caratteristiche elettriche: Corrente nominale: 1,0 A max. Resistenza di contatto: 30 mΩ max. Tensione dielettrica: 500 V CA. Resistenza di isolamento: 1000 mΩ min./500 V CC. Temperatura di esercizio: da -45 °C a +8...

Connettore per scheda Micro SIM, 8P, PUSH PULL, H1,5mm KLS1-SIM-091

Informazioni sul prodotto Connettore per scheda micro SIM, 8P, PUSH PULL, H1,5mm Caratteristiche elettriche: Corrente nominale: 1,0A Tensione nominale: 30V Resistenza di contatto: 50mΩ Resistenza di isolamento massima: 1000MΩ Tensione dielettrica min./500V CC: 500V CA Capacità di saldatura: 250oC~%%P5oC, 10%%P0,5s Durata: 5000 cicli Resistenza di contatto min.: 50mΩ Temperatura di esercizio max.: -45ºC~+85ºC Codice articolo Descrizione PZ/CARTONE Peso (kg) CMB (m3) Quantità ordinabile Tempo O...

Connettore per scheda Micro SIM, 6P, H1,45mm KLS1-SIM-046

Informazioni sul prodotto Connettore per scheda Micro SIM, 6P, altezza 1,45 mm. Materiale: Isolante: plastica ad alta temperatura, UL94V-0, nero. Terminale: lega di rame, 50µ" min. nichelato su tutta la superficie, placcato oro. Involucro: acciaio inossidabile, 50µ" nichelato su tutta la superficie, placcato oro sulla linguetta di saldatura. Caratteristiche elettriche: Corrente nominale: 0,5 A Tensione nominale: 5,0 V Resistenza di isolamento: 500 MΩ min./500 V CC Tensione di tenuta: 250 V CA per 1 minuto. Resistenza di contatto: 100 mΩ...

Connettore per scheda Micro SIM, 6P

Connettore per scheda Micro SIM, 6P

Connettore per scheda Micro SIM, 8P

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