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Connettori per schede SIM, connettori per schede Micro SIM e connettori per schede Nano SIM

Connettore per scheda Micro SIM, 6P+1P con interruttore, PUSH PUSH, altezza 1,29 mm KLS1-SIM-093

Immagini del prodotto Informazioni sul prodotto Connettore per scheda Micro SIM, 6P+1P con interruttore, PUSH PUSH, H1,29 mm Materiale: Alloggiamento: termoplastica ad alta temperatura, UL94V-0 Contatto: lega di rame, Au 1u", area di saldatura: Gold Flash; piastra inferiore Ni 40u" min. su tutta la superficie Guscio: SUS, placcato 30U" Ni Totale, area di saldatura: Gold Flash Elettrico: Corrente nominale: 0,5 A Tensione nominale: 50 V CC Resistenza di contatto massima: 100 mΩ Tensione dielettrica massima: 500 V CA Resistenza di isolamento: 1000 MΩ Min./250 V CC Operativo...

Connettore per scheda Micro SIM, 8P+1P con interruttore, PUSH PUSH, altezza 1,56 mm KLS1-SIM-094

Immagini del prodotto Informazioni sul prodotto Connettore per scheda Micro SIM, 8P+1P con interruttore, PUSH PUSH, H1,56 mm Materiale: Alloggiamento: termoplastica ad alta temperatura, UL94V-0 Contatto: lega di rame, Au 1u", area di saldatura: Gold Flash; piastra inferiore Ni 40u" min. su tutta la superficie Guscio: SUS, placcato 30U" Ni Totale, area di saldatura: Gold Flash Elettrico: Corrente nominale: 1,0 A Tensione nominale: 50 V Resistenza dei contatti: 100 mΩ Max. Tensione dielettrica: 500 V CA Resistenza di isolamento: 1000 MΩ Min./250 V CC Tensione di esercizio...

Connettore per scheda Micro SIM, 8P+2P, SPINGERE, H1,28mm KLS1-SIM-095

Immagini del prodotto Informazioni sul prodotto Connettore per scheda Micro SIM, 8P+2P, PUSH PUSH, H1,28 mm Materiale: Isolante: Termoplastico ad alta temperatura, UL94V-0, Nero. Contatto: Lega di rame. Oro o nichel. Guscio: Acciaio inossidabile. Oro o nichel. Area di saldatura: Stagno opaco 80u" placcato oro flash. Caratteristiche elettriche: Corrente nominale: 1 A Tensione nominale: 30 V Resistenza di contatto: 100 mΩ Resistenza di isolamento massima: 1000 MΩ Tensione dielettrica minima/500 V CC: 500 V CA Cicli di accoppiamento: 5000 inserimenti Temperatura di esercizio...

Connettore per scheda Micro SIM, 8P+1P, SPINGERE, H3,65mm KLS1-SIM-096

Immagini del prodotto Informazioni sul prodotto Connettore per scheda Micro SIM, 8P+1P, PUSH PUSH, H3,65mm Materiale: Alloggiamento: Termoplastico ad alta temperatura, UL94V-0, Nero. Terminale: Lega di rame. Contatto: Placcatura Au: GF Guscio: Acciaio inossidabile. Placcatura cursore: Au: 1u", Ni: 30u" Caratteristiche elettriche minime: Corrente nominale: 1,0 A Tensione nominale: 50 V Resistenza di contatto: 100 mΩ Resistenza di isolamento massima: 1000 MΩ Tensione dielettrica min./500 V CC: 500 V CA Umidità: 80% RH Durata massima: 5000 cicli Temperatura di esercizio min....

Connettore per scheda Micro SIM, 6P+1P, PUSH PUSH, H1,85mm, montaggio MID invertito KLS1-SIM-097

Immagini del prodotto Informazioni sul prodotto Connettore per scheda Micro SIM, 6P+1P, PUSH PUSH, H1,85mm, montaggio MID invertito Materiale: Isolante: termoplastico ad alta temperatura, UL94V-0, nero. Contatto: lega di rame, placcato Ni 30u" in totale, area di saldatura: stagno, contatto G/F Guscio: acciaio inossidabile, 30u" in totale Ni placcato G/F Area di contatto selettiva. Elettriche: Corrente nominale: 0,5A max. Tensione nominale: 50V CC max. Intervallo di umidità ambientale: 95% RH Resistenza di contatto massima: 100mΩ Resistenza di isolamento massima: 1000MΩ Min./250V...

[Copia] Connettore per scheda Micro SIM, 6P+1P, PUSH PUSH, H1,85mm, montaggio MID invertito KLS1-SIM-097

Immagini del prodotto Informazioni sul prodotto Connettore per scheda Micro SIM, 6P+2P con interruttore, PUSH PUSH, H1,27 mm NOTA 1. Coplanarità del cavo: max 0,08 mm 2. Nessuna ruggine, contaminazione, danno o deformazione che influisca sulla funzione 3. Area di movimento dell'interruttore 4. Tolleranza non cumulativa 5. Schema del circuito dell'interruttore Materiale: A: Isolante di base: LCP, nero. B: Copertura: acciaio inossidabile, non fissato: nichel; fissato: Au flash su nichel. C: Terminale di contatto: lega di rame, Au su nichel D: Piastra CAM: lega di rame, nichel. E: Cursore CAM: LCP, nero...

Connettore per scheda SIM 6P+2P con interruttore, tipo incernierato, altezza 2,5 mm KLS1-SIM-010B

Immagini del prodotto Informazioni sul prodotto Connettore per scheda SIM 6P+2P con interruttore, tipo incernierato, H2,5 mm Informazioni per l'ordine: KLS1-SIM-010B-H2.5-8P-1-R Pin: 6+2 pin con interruttore 1=Senza perno R=Confezione in rotolo T=Confezione a tubo Materiale: Corpo isolante: LCP. Colore: Nero Contatto: Bronzo fosforoso Placcatura: Finitura: Stagno dorato o placcatura duplex. Standard: Oro flash 3u" su tutto il nichel Elettrico: Corrente nominale: 0,5 A. Tensione di resistenza dielettrica: 500 V CA Resistenza di isolamento: 1000 MΩ Resistenza minima di contatto: 30 mΩ ...

Connettore per scheda SIM 6P+2P con interruttore, tipo incernierato, altezza 2,5 mm KLS1-SIM-012C

Immagini del prodotto Informazioni sul prodotto Connettore per scheda SIM 6P+2P con interruttore, tipo incernierato, H2,5 mm Informazioni per l'ordine: KLS1-SIM-012C-6+2P-R Pin: 6+2 pin con interruttore R=Confezione in rotolo T=Confezione a tubo Materiale: Alloggiamento: LCP UL94V-0 Terminale di contatto: bronzo fosforoso metallico Guscio: acciaio inossidabile SUS304 Placcatura: placcatura del terminale di contatto Area di contatto: oro 5 μ” Area di saldatura: stagno 100 μ” Sottoplaccatura: nichel 50 μ” sopra Specifiche elettriche: Tensione nominale: 50 V max Corrente nominale: 1 A max...

Connettore doppio per scheda SIM, PUSH PULL, H3,0 mm KLS1-SIM2-002A

Immagini del prodotto Informazioni sul prodotto Connettore per doppia scheda SIM, PUSH PULL, H3,0 mm Materiale: Alloggiamento: plastica Hi-TEMP, UL94V-0. Nero. Terminale: lega di rame Guscio: acciaio inossidabile Finitura: Terminale: placcato in Au sull'area di contatto, stagnato opaco sulle estremità di saldatura sotto placcato in nichel Guscio: placcato in Au sulle estremità di saldatura sotto placcato in nichel Elettrico: Resistenza di contatto: 50 mΩ Tensione massima di resistenza: 350 V CA rms per 1 minuto Resistenza di isolamento: 1000 MΩ ...

Connettore 2 in 1 per scheda Micro SIM e SD, 8P, altezza 2,26 mm KLS1-SIM-109

Immagini del prodotto Informazioni sul prodotto Connettore 2 in 1 per Micro SIM e Scheda SD, 8P, H2,26mm Materiale: Isolante: Termoplastico ad alta temperatura, UL94V-0. Nero. Terminale: Lega di rame, placcatura in oro nell'area di contatto 1u, area di saldatura dorata 1u. Guscio superiore: Acciaio inossidabile, placcatura in nichel 50u. Guscio inferiore: SUS304 R-1/2H T=0,10mm, placcatura in nichel 50u. Elettriche: Forza di inserimento 1kgf Max. Forza di estrazione 0,1kgf Min. Durata: SIM 5000 cicli, Resistenza di contatto: Prima del test 80mΩ Max, Dopo...

Connettore doppio per scheda SIM, PUSH PULL, H3,0 mm KLS1-SIM-033

Immagini del prodotto Informazioni sul prodotto Connettore doppio per scheda SIM, PUSH PULL, H3,0 mm Materiale: Alloggiamento: plastica ad alta temperatura, UL94V-0, nero. Terminale: lega di rame. Tutti i terminali sono placcati in oro e nichelati di almeno 50 µm su tutta la superficie. Involucro: acciaio inossidabile. Nichelato di almeno 50 µm su tutta la superficie, placcato in oro sulla piazzola di saldatura. Caratteristiche elettriche: Corrente nominale: 0,5 A. Tensione nominale: 5,0 Vrm. Resistenza di isolamento: 1000 MΩ min. a 500 V CC. Tensione di resistenza: 250 V CA RMS per 1 minuto. Contatto...

Connettore 2 in 1 per scheda SIM + Micro SD, PUSH PULL, H2.7mm KLS1-SIM-024

Immagini del prodotto Informazioni sul prodotto Connettore 2 in 1 per scheda SIM + Micro SD, PUSH PULL, H2,7 mm Caratteristiche elettriche: Tensione: 100 V CA Corrente: 0,5 A Resistenza di contatto massima: 100 mΩ Tensione dielettrica massima: 500 V CA Resistenza di isolamento: 1000 MΩ Caratteristiche meccaniche minime: Forza di inserimento e estrazione della scheda: 13,8 N Forza di spinta massima: 19,6 N Durata massima: 10000 cicli Temperatura di funzionamento: -45 ºC ~ +85 ºC Caratteristiche elettriche: Tensione: 100 V CA Corrente: 0,5 A Resistenza di contatto massima: 100 mΩ Resistenza dielettrica massima...

Connettore per scheda Nano SIM; PUSH PULL, 6 pin, H1,40 mm KLS1-SIM-113

Immagini del prodotto Informazioni sul prodotto Connettore per scheda Nano SIM; PUSH PULL, 6 pin, H1,40 mm Materiale: Isolante: LCP, UL94V-0. Contatto: C5210. Placcato 50u" Ni in totale, contatti tutti Au 1u. Guscio: SUS, placcato 50u" Ni in totale, PAD Au 1u. Elettrico: Corrente nominale: 0,5 A CA/CC max. Tensione nominale: 30 V CA/CC Resistenza di contatto: 30 mΩ Resistenza di isolamento massima: 1000 MΩ Temperatura di esercizio minima: -45 ºC ~ +85 ºC

Connettore per scheda Nano SIM, PUSH PUSH, 6 pin, H1,37 mm, con pin CD KLS1-SIM-066

Immagini del prodotto Informazioni sul prodotto Connettore per scheda Nano SIM, PUSH PUSH, 6 pin, H1,37 mm, con pin CD Materiale: Isolante: termoplastico ad alta temperatura, UL94V-0. Contatto: lega di rame, placcato 50u" Ni totale, PAD Au 1u". Guscio: SUS. Tutto Ni 30U/MIN. Elettriche: Corrente nominale: 0,5 A ampere Tensione nominale: 5 V CA/CC Resistenza di contatto: 100 mΩ Max. Resistenza di isolamento: 1000 MΩ Min./500 V CC Temperatura di funzionamento: -45 ºC~+85 ºC

Connettore per scheda Nano SIM, PUSH PUSH, 6 pin, H1,25 mm, con pin CD KLS1-SIM-103

Immagini del prodotto Informazioni sul prodotto Connettore per scheda Nano SIM, PUSH PUSH, 6 pin, H1,25 mm, con pin CD Materiale: Contatto: lega di rame. Au su Ni. Alloggiamento: LCP caricato a fibra di vetro. Guscio: acciaio inossidabile. Au su Ni. Telaio GND: lega di rame. Au su Ni. Interruttore di rilevamento: lega di rame. Au su Ni. Slitta: PA10T caricato a fibra di vetro. Molla: acciaio inossidabile. Gancio: acciaio inossidabile. Elettriche: Corrente nominale: 0,5 A Tensione nominale massima: 30 V CA Resistenza di contatto: 100 mΩ Resistenza di isolamento massima: 1000 MΩ Tensione dielettrica minima/500 V CC: 500...

Connettore per scheda Nano SIM, tipo vassoio, 6 pin, altezza 1,55 mm, con pin CD KLS1-SIM-104

Immagini del prodotto Informazioni sul prodotto Connettore per scheda Nano SIM, tipo vassoio, 6 pin, altezza 1,55 mm, con pin CD Caratteristiche elettriche: Corrente nominale: 1 Amp/pin MAX. Tensione: 30 V CC. Resistenza di contatto a basso livello MAX: 30 mΩ Max. Inizialmente. Tensione di resistenza dielettrica: 500 V CA MIN. Per 1 minuto. Resistenza di isolamento: 100 MΩ Min. 500 V CC. Per 1 minuto. Durata: 1500 cicli. Temperatura di esercizio: -45 °C ~ +85 °C.

Connettore per scheda Nano SIM, tipo vassoio, 6 pin, altezza 1,5 mm, con pin CD KLS1-SIM-102

Immagini del prodotto Informazioni sul prodotto Connettore per scheda Nano SIM, tipo vassoio, 6 pin, altezza 1,5 mm, con pin CD Caratteristiche elettriche: Corrente nominale: 1 Amp/pin MAX. Tensione: 30 V CC MAX. Resistenza di contatto a basso livello: 30 mΩ Max. Inizialmente. Tensione di resistenza dielettrica: 500 V CA MIN. Per 1 minuto. Resistenza di isolamento: 100 MΩ Min. 500 V CC. Per 1 minuto. Durata: 1000 cicli. Temperatura di funzionamento: -45 °C ~ +85 °C.

Connettore per scheda Nano SIM; tipo vassoio di montaggio MID, 6 pin, altezza 1,5 mm, con pin CD KLS1-SIM-100

Immagini del prodotto Informazioni sul prodotto Connettore per scheda Nano SIM; tipo vassoio con montaggio MID, 6 pin, altezza 1,5 mm, con pin CD Materiale: Plastica: LCP, UL94V-0, nero. Contatto: C5210 Guscio: SUS304 Vassoio: LCP, UL94V-0, nero. Placcatura: Contatto: Area di contatto: placcatura G/F; Area di saldatura: stagno opaco da 80u" Guscio: placcatura su 30u" Ni saldabile Placcatura Ni da 30u" su tutto. La complanarità tra contatti e coda deve essere di 0,10 mm su tutti.

Connettore per scheda Nano SIM, 6 pin, altezza 1,4 mm, tipo a cerniera, con pin CD KLS1-SIM-101

Immagini del prodotto Informazioni sul prodotto Connettore per scheda Nano SIM, 6 pin, H1,4 mm, tipo a cerniera, con pin CD Materiale: Alloggiamento: termoplastico ad alta temperatura, UL94V-0, nero. Terminale: lega di rame, placcato in oro sull'area di contatto e sulle estremità di saldatura, nichel sottoplaccato su tutto. Guscio: acciaio inossidabile, placcato in oro sulle estremità di saldatura, nichel sottoplaccato su tutto. Elettriche: Corrente nominale: 0,5 A Tensione nominale massima: 30 V CA Resistenza di contatto: 100 mΩ Resistenza di isolamento massima: 1000 MΩ Resistenza dielettrica min./500 V CC...

Connettore per scheda Nano SIM, 6 pin, altezza 1,4 mm, tipo a cerniera, con pin CD KLS1-SIM-077A

Immagini del prodotto Informazioni sul prodotto Connettore per scheda Nano SIM, 6 pin, H1,4 mm, tipo a cerniera, con pin CD Materiale: Isolante: termoplastico ad alta temperatura, UL94V-0. Contatto: lega di rame, placcato 50u" Ni Contatto totale: tutto Au 1U. Guscio: acciaio inossidabile, tutto Ni 30U MIN. Elettriche: Corrente nominale: 0,5 A CA/CC MAX. Tensione nominale: 125 V CA/CC Intervallo di umidità ambientale: 95% RH Resistenza di contatto massima: 80 mΩ Resistenza di isolamento massima: 100 MΩ Min./100 V CC Cicli di accoppiamento: 5000 inserimenti. Temperatura di esercizio: -45 ºC~+85...

Connettore per scheda Nano SIM, 6 pin, altezza 1,4 mm, tipo a cerniera, senza pin CD KLS1-SIM-077

Immagini del prodotto Connettore per scheda Nano SIM, 6 pin, H1,4 mm, tipo a cerniera, senza pin CD Materiale: Isolante: termoplastico ad alta temperatura, UL94V-0. Contatto: C5210, placcato 50u" Ni. Contatti totali: tutti i contatti Au 1U. Involucro: acciaio inossidabile, tutto Ni 30U/MIN. Specifiche elettriche: Corrente nominale: 0,5 A. Tensione nominale: 5 V CA/CC. Intervallo di umidità ambientale: 95% RH. Resistenza di contatto massima: 80 mΩ. Resistenza di isolamento massima: 100 MΩ. Cicli di accoppiamento min./100 V CC: 10.000 inserimenti. Temperatura di esercizio: -45 ºC~+85 ºC Connettore per scheda Nano SIM, 6 pin, H1....

Connettore per scheda Nano SIM, PUSH PULL, 6 pin, H1,4 mm, con pin CD KLS1-SIM-092

Immagini del prodotto Informazioni sul prodotto Connettore per scheda Nano SIM, PUSH PULL, 6 pin, H1,4 mm, con pin CD Materiale: Alloggiamento: termoplastico ad alta temperatura, UL94V-0, nero. Terminale: lega di rame, Au selettivo da 1µ" sull'area di contatto. Guscio: acciaio inossidabile, Gold Flash selettivo sull'area di saldatura. Elettriche: Corrente nominale: 0,5 A Tensione nominale massima: 30 V CA Resistenza di contatto: 100 mΩ Resistenza di isolamento massima: 1000 MΩ Tensione dielettrica minima/500 V CC: 500 V CA/minuto. Durata: 5000 cicli. Tensione di esercizio...

Connettore per scheda Nano SIM; PUSH PULL, 6 pin, H1,35 mm KLS1-SIM-076

Immagini del prodotto Informazioni sul prodotto Connettore per scheda Nano SIM; PUSH PULL, 6 pin, H1,35 mm Materiale: Isolante: termoplastico ad alta temperatura, UL94V-0. Contatto: C5210. Placcato 50u" Ni in totale, contatti tutti Au 1u. Guscio: SUS, placcato 50u" Ni in totale, PAD Au 1u. Elettrico: Corrente nominale: 0,5 A CA/CC max. Tensione nominale: 125 V CA/CC Resistenza di contatto: 100 mΩ Max. Resistenza di isolamento: 1000 MΩ Min. 500 V CC Temperatura di funzionamento: -45 ºC ~ +85 ºC

Connettore per scheda Nano SIM; SPINGI E TIRA, 6 pin, H1,2 mm KLS1-SIM-D01

Immagini del prodotto Informazioni sul prodotto Materiale: Alloggiamento: termoplastico ad alta temperatura, UL94V-0. Nero Contatto: lega di rame 0,10T, placcatura in oro su area di contatto e area di saldatura 50U" minimo Guscio sottoplaccato in nichel: acciaio inossidabile 0,10T, placcatura in nichel su TUTTO Elettrico: corrente nominale: 1 A Resistenza di contatto: 100 mΩ Resistenza di isolamento massima: 500 MΩ Tensione di resistenza dielettrica minima: 500 V RMS Test di durata minima: 1500 cicli
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