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Connettore per scheda Nano SIM, 6 pin, altezza 1,4 mm, tipo a cerniera, con pin CD KLS1-SIM-101

Immagini del prodotto Informazioni sul prodotto Connettore per scheda Nano SIM, 6 pin, H1,4 mm, tipo a cerniera, con pin CD Materiale: Alloggiamento: termoplastico ad alta temperatura, UL94V-0, nero. Terminale: lega di rame, placcato in oro sull'area di contatto e sulle estremità di saldatura, nichel sottoplaccato su tutto. Guscio: acciaio inossidabile, placcato in oro sulle estremità di saldatura, nichel sottoplaccato su tutto. Elettriche: Corrente nominale: 0,5 A Tensione nominale massima: 30 V CA Resistenza di contatto: 100 mΩ Resistenza di isolamento massima: 1000 MΩ Resistenza dielettrica min./500 V CC...

Connettore per scheda Nano SIM, 6 pin, altezza 1,4 mm, tipo a cerniera, con pin CD KLS1-SIM-077A

Immagini del prodotto Informazioni sul prodotto Connettore per scheda Nano SIM, 6 pin, H1,4 mm, tipo a cerniera, con pin CD Materiale: Isolante: termoplastico ad alta temperatura, UL94V-0. Contatto: lega di rame, placcato 50u" Ni Contatto totale: tutto Au 1U. Guscio: acciaio inossidabile, tutto Ni 30U MIN. Elettriche: Corrente nominale: 0,5 A CA/CC MAX. Tensione nominale: 125 V CA/CC Intervallo di umidità ambientale: 95% RH Resistenza di contatto massima: 80 mΩ Resistenza di isolamento massima: 100 MΩ Min./100 V CC Cicli di accoppiamento: 5000 inserimenti. Temperatura di esercizio: -45 ºC~+85...

Connettore per scheda Nano SIM, 6 pin, altezza 1,4 mm, tipo a cerniera, senza pin CD KLS1-SIM-077

Immagini del prodotto Connettore per scheda Nano SIM, 6 pin, H1,4 mm, tipo a cerniera, senza pin CD Materiale: Isolante: termoplastico ad alta temperatura, UL94V-0. Contatto: C5210, placcato 50u" Ni. Contatti totali: tutti i contatti Au 1U. Involucro: acciaio inossidabile, tutto Ni 30U/MIN. Specifiche elettriche: Corrente nominale: 0,5 A. Tensione nominale: 5 V CA/CC. Intervallo di umidità ambientale: 95% RH. Resistenza di contatto massima: 80 mΩ. Resistenza di isolamento massima: 100 MΩ. Cicli di accoppiamento min./100 V CC: 10.000 inserimenti. Temperatura di esercizio: -45 ºC~+85 ºC Connettore per scheda Nano SIM, 6 pin, H1....

Connettore per scheda Nano SIM, PUSH PULL, 6 pin, H1,4 mm, con pin CD KLS1-SIM-092

Immagini del prodotto Informazioni sul prodotto Connettore per scheda Nano SIM, PUSH PULL, 6 pin, H1,4 mm, con pin CD Materiale: Alloggiamento: termoplastico ad alta temperatura, UL94V-0, nero. Terminale: lega di rame, Au selettivo da 1µ" sull'area di contatto. Guscio: acciaio inossidabile, Gold Flash selettivo sull'area di saldatura. Elettriche: Corrente nominale: 0,5 A Tensione nominale massima: 30 V CA Resistenza di contatto: 100 mΩ Resistenza di isolamento massima: 1000 MΩ Tensione dielettrica minima/500 V CC: 500 V CA/minuto. Durata: 5000 cicli. Tensione di esercizio...

Connettore per scheda Nano SIM; PUSH PULL, 6 pin, H1,35 mm KLS1-SIM-076

Immagini del prodotto Informazioni sul prodotto Connettore per scheda Nano SIM; PUSH PULL, 6 pin, H1,35 mm Materiale: Isolante: termoplastico ad alta temperatura, UL94V-0. Contatto: C5210. Placcato 50u" Ni in totale, contatti tutti Au 1u. Guscio: SUS, placcato 50u" Ni in totale, PAD Au 1u. Elettrico: Corrente nominale: 0,5 A CA/CC max. Tensione nominale: 125 V CA/CC Resistenza di contatto: 100 mΩ Max. Resistenza di isolamento: 1000 MΩ Min. 500 V CC Temperatura di funzionamento: -45 ºC ~ +85 ºC

Connettore per scheda Nano SIM; SPINGI E TIRA, 6 pin, H1,2 mm KLS1-SIM-D01

Immagini del prodotto Informazioni sul prodotto Materiale: Alloggiamento: termoplastico ad alta temperatura, UL94V-0. Nero Contatto: lega di rame 0,10T, placcatura in oro su area di contatto e area di saldatura 50U" minimo Guscio sottoplaccato in nichel: acciaio inossidabile 0,10T, placcatura in nichel su TUTTO Elettrico: corrente nominale: 1 A Resistenza di contatto: 100 mΩ Resistenza di isolamento massima: 500 MΩ Tensione di resistenza dielettrica minima: 500 V RMS Test di durata minima: 1500 cicli

Connettore per scheda Micro SIM, 6 pin, altezza 1,42 mm, KLS1-SIM-105

Immagini del prodotto Informazioni sul prodotto Connettore per scheda Micro SIM, 6 pin H1,42 mm Materiale: Isolante: termoplastico ad alta temperatura, UL 94V-0 Contatto: lega di rame, placcato 50u" Ni Ooverall Contatto Au 1U Guscio: SUS, placcato 50u" Ni Ooverall, placcato 1u" Au Area di contatto selettiva Caratteristiche elettriche: Corrente nominale: 0,5 mA CA/CC max. Tensione nominale: 125 V CA/CC Intervallo di temperatura ambiente: da -20 °C a +60 °C Intervallo di temperatura di stoccaggio: da -40 °C a +70 °C Intervallo di umidità ambiente: 95% RH max Resistenza dei contatti...

Scheda Micro SIM CONN, 6P, H1,45mm, SMD KLS1-SIM-046

Immagini del prodotto Informazioni sul prodotto Materiale: Alloggiamento: LCP, UL94V-0 Contatto: C5210, placcatura in oro flash sull'area di contatto; placcatura in oro flash sulle estremità di saldatura; con contatto intermedio in nichel sottoplaccato Guscio: SUS304, nichel sottoplaccato su tutto, placcatura in oro flash sulle estremità di saldatura Specifiche elettriche: Corrente nominale: 0,5 A Tensione nominale: 5 V Resistenza dei contatti: 50 mΩ Resistenza di isolamento massima: 1000 MΩ Durata minima: 3000 cicli Minima

Connettore per scheda Micro SIM, 8 pin, altezza 1,5 mm, tipo incernierato KLS1-SIM-089

Immagini del prodotto Informazioni sul prodotto Connettore per scheda Micro SIM, 8 pin, altezza 1,5 mm, tipo a cerniera Materiale: alloggiamento: termoplastico, UL94V-0. Terminale: bronzo fosforoso, spessore 0,15 mm, placcato in nichel nella parte inferiore, placcato in oro sull'area di contatto, placcato in rame sul terminale di saldatura. Guscio: acciaio inossidabile, spessore 0,15 mm, placcato in nichel nella parte inferiore, placcato in rame sul terminale di saldatura. Resistenza elettrica di contatto: 60 mΩ. Resistenza di isolamento massima: 1000 mΩ. Tensione dielettrica minima: 500 V CA per 1 minuto. Durata: 5000 cicli. Temperatura di esercizio: -45 °C ~ +85 °C.

Connettore per scheda Micro SIM, 6 pin, altezza 1,8 mm, tipo incernierato KLS1-SIM-072

Immagini del prodotto Informazioni sul prodotto Connettore per scheda Micro SIM, 6 pin, altezza 1,8 mm, tipo a cerniera Materiale: Alloggiamento: LCP, UL94V-0, nero. Terminale: lega di rame. Guscio: acciaio inossidabile. Elettriche: Corrente nominale: 1 A. Tensione nominale massima: 30 V CC max. Resistenza di contatto: 30 mΩ. Resistenza di isolamento massima: 1000 MΩ. Tensione dielettrica minima: 500 V rms/min. Durata: 5000 cicli. Temperatura di funzionamento: -45 °C ~ +85 °C

Connettore per scheda Micro SIM, 6 pin, altezza 1,5 mm, tipo vassoio KLS1-SIM-075

Immagini del prodotto Informazioni sul prodotto Connettore per scheda Micro SIM, 6 pin H1,5 mm, tipo vassoio Materiale: Isolante: plastica ad alta temperatura, UL94V-0, nero. Terminale: lega di rame. Placcatura in oro flash su tutti i terminali, nichel Aad 50u" min. placcato su tutta la superficie. Guscio: nichel 50u" sottoplaccato su tutta la superficie, placcatura in oro flash sulla piazzola di saldatura. Caratteristiche elettriche: Corrente nominale: 0,5 A Tensione nominale Tensione: 5,0 vrms Resistenza di isolamento: 1000 MΩ min./500 V CC Tensione di tenuta: 250 V CA rms per 1 minuto Resistenza di contatto...

Connettore per scheda Micro SIM, 6P, PUSH PULL, H1,5mm KLS1-SIM-099

Immagini del prodotto Informazioni sul prodotto Connettore per scheda Micro SIM, 6P, PUSH PULL, H1,5mm Materiale: Alloggiamento: Termoplastico, UL94V-0. Terminale: Lega di rame, placcato in oro su area di contatto e terminali di saldatura, nichelato in tutto. Guscio: Acciaio inossidabile. Nichelato in tutto. Terminali di saldatura placcati in oro. Caratteristiche elettriche: Corrente nominale: 1,0 A max. Resistenza di contatto: 30 mΩ max. Tensione dielettrica: 500 V CA. Resistenza di isolamento: 1000 MΩ min./500 V CC. Temperatura di esercizio: -45 ºC~+85 ºC.

Connettore per scheda Micro SIM, 8P, PUSH PULL, H1,5mm KLS1-SIM-091

Immagini del prodotto Informazioni sul prodotto Connettore per scheda Micro SIM, 8P, PUSH PULL, H1,5mm Elettrico: Corrente nominale: 1,0A Tensione nominale: 30V Resistenza di contatto: 50mΩ Resistenza di isolamento massima: 1000MΩ Tensione dielettrica min./500V CC: 500V CA Capacità di saldatura: 250oC~%%P5oC, 10%%P0,5s Durata: 5000 cicli Resistenza di contatto minima: 50mΩ Temperatura di esercizio massima: -45ºC~+85ºC

Connettore per scheda Micro SIM, 6P

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Connettore per scheda Micro SIM, 6P

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Connettore per scheda Micro SIM, 8P

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Connettore per scheda Micro SIM, 8P

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Connettore per scheda Micro SIM, 8P

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Connettore per scheda Micro SIM, 6P

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Connettore per scheda Micro SIM; SPINGERE SPINGERE, 6P+1P o 8P+1P, H1,50mm KLS1-SIM-090

Immagini del prodotto Informazioni sul prodotto Connettore per scheda Micro SIM; PUSH PUSH, 6P+1P o 8P+1P, altezza 1,50 mm Corrente elettrica nominale: 0,5 A Tensione nominale: 5,0 vrms Resistenza di contatto: 100 mΩ Resistenza di isolamento massima: 1000 m Tensione di resistenza minima: 250 V CA rms per 1 minuto Intervallo di temperatura di esercizio: da -45 °C a +105 °C Materiale: Isolante: plastica per alte temperature, UL94V-0, nero Terminale: lega di rame, placcatura in oro flash su tutti i terminali e nichelatura minima 50 µm su tutta la superficie. Guscio: acciaio inossidabile, 50 µm...

Connettore per scheda Micro SIM; SPINGERE SPINGERE, 6P o 6P+1P, H1,35mm KLS1-SIM-069

Immagini del prodotto Informazioni sul prodotto Connettore per scheda Micro SIM; PUSH PUSH, 6P o 6P+1P, H1,35 mm, senza perno. Materiale: Isolante: Termoplastico ad alta temperatura, UL94V-0 Contatto: Lega di rame, placcato 50U" Ni Contatto totale Au 1U Guscio: SUS, placcato 50U" Ni Contatto totale placcato 1u" Au Area di contatto selettiva Elettriche: Corrente nominale: 0,5 A Tensione nominale massima: 5 V CA/CC Resistenza di contatto: 100 m Resistenza di isolamento massima: 1000 m Min./500 V CC Intervallo di umidità ambiente: 95% RH Max. Mati...

Connettore per scheda Micro SIM 8P, PUSH PULL, H2,4mm KLS1-SIM-044-8P

Immagini del prodotto Informazioni sul prodotto Connettore per scheda Micro SIM 8P, PUSH PULL, H2,4mm Materiale: Base: Termoplastica ad alta temperatura, UL94V-0. Nero. Contatto dati: Lega di rame, placcato oro. Guscio: Acciaio inossidabile, placcato oro. Elettriche: Resistenza di contatto: 50 mΩ tipica, 100 Ω max. Resistenza di isolamento: >1000 MΩ/500 V CC. 3. Saldabilità Fase di vapore: 215 ºC. 30 sec. Flusso IR max: 250 ºC. 5 sec. Saldatura manuale max: 370 ºC. 3 sec. Temperatura di esercizio max: -45 ºC~+105 ºC

Connettore per scheda Micro SIM 6P, PUSH PULL, H2,4mm KLS1-SIM-044-6P

Immagini del prodotto Informazioni sul prodotto Connettore per scheda Micro SIM 6P, PUSH PULL, H2,4mm Materiale: Base: Termoplastica ad alta temperatura, UL94V-0. Nero. Contatto dati: Lega di rame, placcato oro. Guscio: Acciaio inossidabile, placcato oro. Elettriche: Resistenza di contatto: 50 mΩ tipica, 100 Ω max. Resistenza di isolamento: >1000 MΩ/500 V CC. 3. Saldabilità Fase di vapore: 215 ºC. 30 sec. Flusso IR max: 250 ºC. 5 sec. Saldatura manuale max: 370 ºC. 3 sec. Temperatura di esercizio max: -45 ºC~+105 ºC

Connettore per scheda SIM; PUSH PUSH, 6P+2P, H1,80mm, con o senza perno. KLS1-SIM-110

Immagini del prodotto Informazioni sul prodotto Connettore per scheda SIM; PUSH PUSH, 6P+2P, H1,80mm Con perno o senza perno. Materiale: Materiale dell'alloggiamento: LCP UL94V-0 Materiale del contatto: Stagno-bronzo Confezione: Confezione nastrata e bobina Caratteristiche elettriche: Tensione nominale: 100 V CA Corrente nominale: 0,5 A Max Tensione di tenuta: 250 V CA/1 minuto Resistenza di isolamento: ≥1000 ΜΩ Resistenza di contatto: ≤30 mΩ Durata: ＞5000 cicli Temperatura di funzionamento: -45 ºC~+85 ºC
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